高一化学硅的知识点

高一化学硅的知识点（精选13篇）

高一化学硅的知识点 第1篇

高中化学硅的知识点

硅是一种亲氧元素，自然界中总是与氧结合，以熔点很高的氧化物及硅酸盐的形式存在。硅有晶体和无定型两种。晶体硅是带有金属光泽的灰黑色固体，熔点高、硬度大、有脆性，常温下不活泼。晶体硅的导电性介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料，可制成光电池等能源。

硅的化合物

①二氧化硅

a、物理性质：二氧化硅具有晶体和无定形两种。熔点高，硬度大。

b、化学性质：酸性氧化物，是H2SiO3的酸酐，但不溶于水

SiO2+CaO===CaSiO3，SiO2+2NaOH==Na2SiO3+H2O，SiO2+4HF==SiF4↑+2H2O

c、用途：是制造光导纤维德主要原料;石英制作石英玻璃、石英电子表、石英钟等;水晶常用来制造电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品等;石英砂常用作制玻璃和建筑材料。

②硅酸钠：硅酸钠固体俗称泡花碱，水溶液俗称水玻璃，是无色粘稠的液体，常作粘合剂、防腐剂、耐火材料。放置在空气中会变质：Na2SiO3+CO2+H2O==H2SiO3↓+Na2CO3。实验室可以用可溶性硅酸盐与盐酸反应制备硅酸：Na2SiO3+2HCl==2NaCl+H2SiO3↓

③硅酸盐：

a、是构成地壳岩石的主要成分，种类多，结构复杂，常用氧化物的形式来表示组成。其表示方式

活泼金属氧化物•较活泼金属氧化物•二氧化硅•水。如：滑石Mg3(Si4O10)(OH)2可表示为3MgO•4SiO2•H2O

b、硅酸盐工业简介：以含硅物质为原料，经加工制得硅酸盐产品的工业成硅酸盐工业，主要包括陶瓷工业、水泥工业和玻璃工业，其反应包含复杂的物理变化和化学变化。

水泥的原料是黏土和石灰石;玻璃的原料是纯碱、石灰石和石英，成份是Na2SiO3•CaSiO3•4SiO2;陶瓷的原料是黏土。注意：三大传统硅酸盐产品的制备原料中，只有陶瓷没有用到石灰石。

化学式

1.意义：(以H2O为例)

(1)宏观：①表示一种物质(表示水)

②表示物质是由什么元素组成(表示水是由氢元素和氧元素组成)

(2)微观：①表示一种分子(表示水分子)

②表示分子的结构(表示一个水分子由2个氢原子和1个氧原子构成)

写出下列物质的化学式

氯气N2;氦气He;白磷P;水银Hg;生铁、钢的主要成分Fe;

干冰CO2;冰H2O;过氧化氢(双氧水)H2O2;氧化铜CuO;

铁锈的主要成分Fe2O3;氯化氢HCl;氯化亚铁FeCl2;氯化铝AlCl3;

氢氧化钠NaCl;石灰水的主要成分Ca(OH)2;硫酸铁Fe2(SO4)3;硫酸镁MgSO4;石灰石、大理石主要成分CaCO3;硝酸钾KNO3;

硝酸银AgNO3;硝酸铜Cu(NO3)2;天然气主要成分—甲烷CH4;

乙醇(酒精)C2H5OH;氯酸钾KClO3;氯化钾KCl;高锰酸钾KMnO4;

锰酸钾K2MnO4;盐酸HCl;硫酸H2SO4

物理变化和化学变化

(1)物理变化：没有新物质生成的变化。

①宏观上没有新物质生成，微观上没有新分子生成。

②常指物质状态的变化、形状的改变、位置的移动等。

例如：水的三态变化、汽油挥发、干冰的升华、木材做成桌椅、玻璃碎了等等。

(2)化学变化：有新物质生成的变化，也叫化学反应。

①宏观上有新物质生成，微观上有新分子生成。

②化学变化常常伴随一些反应现象，例如：发光、发热、产生气体、改变颜色、生成沉淀等。有时可通过反应现象来判断是否发生了化学变化或者产物是什么物质。

高一化学硅的知识点 第2篇

（1）高纯的单晶硅是重要的半导体材料。

（2）金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。

（3）光导纤维通信，最新的现代通信手段。

高一化学硅的知识点 第3篇

关键词：电化学； 多孔硅形貌； N型硅

中图分类号： TN 29 文献标志码： A doi： 10.3969/j.issn.1005-5630.2015.01.003

Abstract：By using electrochemical etching， a porous structure on N-type doped silicon was prepared in a mixture of ethanol and hydrofluoric acid（the mass fraction is 40%）with light irradiation. The influences of different electrochemical etching conditions on the structure of porous silicon were discussed. The studies show that any increasing of the current density， etching time or HF mass fraction would enlarge the aperture as well as the depth of the porous. When these three parameters exceed the thresholds， the mechanical strength of the porous silicon becomes extremely weak. By the surface topography， when the aperture size is smaller than 500 nm， the porous exhibit quite high mechanical strength， but when the size is larger than 500 nm， particularly larger than 800 nm， the fracture of the skeleton of the porous layer easily occurs.

Keywords：electrochemistry； porous silicon morphology； N-type silicon

引 言

自1990年Canham[1]报道了多孔硅可以在室温下高效发出可见光，人们开始重视对多孔硅材料的研究。多孔硅是一种以硅材料为基底，在硅表面形成微纳米多孔结构的材料，具有比表面积大、光/电致发光、生物相容性良好等特点。目前，对多孔硅的研究主要涉及到多孔硅的含能爆炸性能、发光性能、光伏性能等；主要应用在红外传感、光电子器件、生物医学等方面。近年来，研究人员发现多孔硅具有很好的吸附特性，可在生物检测方面具有广泛的应用前景[2-3]。

普遍认为，多孔硅的形貌特征决定了其本身的理化性质（电学性质、光学性质、化学性质），因此，研究多孔硅的形貌特征信息十分重要。电化学阳极腐蚀法是制备多孔硅最常用的方法，根据腐蚀工艺与条件的不同，可以制备不同形貌特征的多孔硅。本文主要针对制备工艺对多孔硅形貌的影响进行研究探讨，重点讨论了电解液的组成其配比以及腐蚀时间对多孔硅形貌的影响。

1 样品制备

本实验采用的硅片为单面抛光的N型硅片，其电阻率为1～10 Ω·cm，晶向为〈100〉，厚度范围为505.655 μm±11.095 μm。实验前对硅片进行预处理：将硅片放入浓硫酸（H2SO4）和去离子水（H2O）的混合液（V（H2SO4）∶V（H2O）=3∶1）中浸泡，至不再冒泡为止，以去除表面有机污染物；取出硅片用去离子水清洗干净，将硅片浸入质量分数为20%的氢氟酸（HF）中，浸泡10 min，以去除硅片表面氧化层；然后顺次用丙酮、无水乙醇（C2H5OH）和去离子水对硅片超声清洗，再把清洗后的硅片用高纯氮气吹干。硅片处理之后，将其安置在自制的电解槽（聚四氟乙烯材料）中。由于本实验所用硅片为N型硅片，硅片中空穴为少数载流子，而在腐蚀过程中空穴必不可少，所以要对硅片进行光照处理，使硅片中产生光生载流子，以便反应的进行。在电解槽中加入预先配制好的电解液，再将恒流电源的负极用金属铂接入电解液中，正极接到硅片上，接通电源便立即开始腐蚀工序。随着腐蚀的进行，即可得到相应形貌的多孔硅。

2 实验过程

本实验采用单槽电化学腐蚀法，实验装置如图1所示。电解液为氢氟酸（质量分数为40%）和无水乙醇的混合溶液，其体积比为V（HF）∶V（C2H5OH）=1∶6～1∶1，硅片抛光面接触电解液，非抛光面接受25 W白炽灯光照，以硅片为阳极，金属铂为阴极，接通恒流电源后开始腐蚀反应。取电流密度为5～40 mA/cm2，腐蚀时间为10～60 min，分别观察了不同腐蚀条件对制备结果的影响。

反应开始时，在N型硅中空穴载流子的作用下，硅表层原子溶解与氢氟酸中形成饱和Si—H键，当硅表面空穴载流子耗尽，就会被H+离子钝化。此时如果没有空穴对硅表面进行补充，那么反应将几乎停止。因为硅原子的电负性和H原子电正性相当，Si—H键的极性很弱，Si—H键和Si—Si键中Si的正电性不足以吸引腐蚀液中的F-离子并与之反应。在外加电场的作用下，硅体内空穴不断向表面补充，腐蚀液中F-离子被空穴吸引，F原子的电负性远大于H原子的，因此 F-离子将取代Si—H键中的H+，从而形成Si—F键，每破坏两个Si—H键，就有一个H2分子溢出。同时在Si—F键群的影响下，Si—Si键的电子密度将降低形成弱键。裸露出来的弱键Si原子会与氢氟酸中的H+离子反应形成新的Si—H键，而已经溶解掉的Si原子则以SiF2-6的离子形态进入腐蚀液中。重复此过程，Si原子将溶于氢氟酸中。具体反应方程式如下所示：

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在制备过程中，乙醇并不参与化学反应。

由于无水乙醇的表面张力比水小很多，因此可用来增加腐蚀液的浸润性，以便氢氟酸可以进一步渗入孔内继续反应。与此同时，腐蚀反应过程中会产生大量氢气，氢气以气泡形式附着在硅表面，会阻碍反应的进行，混入乙醇的腐蚀液可以使氢气迅速排至孔外，这样生成的多孔硅孔更加均匀。

3 结果分析

3.1 电解液质量分数对多孔硅成孔的影响

不同电解液质量分数对多孔硅形貌的影响很大，质量分数越大，腐蚀速度就越快，并且在相同的反应时间、电流密度、环境温度和光照强度下，随着电解液质量分数的增加生成小孔的孔径和深度都随之增大。但是，当电解液质量分数超过一定值时，由于腐蚀速度太快，孔壁太薄，会造成新鲜多孔硅的坍塌，大大影响多孔硅成孔的规整度。

3.2 电流密度对多孔硅成孔的影响

电化学腐蚀多孔硅电流密度要适中，如果电流密度太大将会出现电化学抛光效应，太小则难以成孔。本实验选择的电流密度范围为5～40 mA/cm2，每隔5 mA/cm2取一个试验点，腐蚀时间为30 min。在此条件下，N型硅片都可以形成多孔硅，但是条件不同会导致成孔的孔洞大小、密度、深度以及腐蚀效率比有所不同，其中腐蚀效率比是指多孔硅的纵向腐蚀速率除以横向腐蚀速率，由于纵横腐蚀是同时进行，腐蚀时间相同，所以它又可以定义为孔深除以孔径。

图2（a）表示电流密度和多孔硅孔径的关系曲线，随着电流密度增大多孔硅成孔的孔径也随之增大。另外，当电流密度越大时，孔径增长的速度也缓慢加快，多孔硅的腐蚀过程需要空穴的参与，电流密度越大则空穴补充的速度就越快，从而导致孔径增长的速度加快，但根据Beale耗尽模型[4]理论，电场线集中在硅表面曲率较大的区域，电流则汇聚于孔的尖端部分，因此空穴主要分布在尖端，从而腐蚀反应也主要在孔底进行，所以孔径增长的加速度非常缓慢。图2（b）表示电流密度和多孔硅深度的关系曲线，随着电流密度的增大多孔硅的深度也随之增加，在40 mA/cm2时孔深已达93.06 μm。

3.3 腐蚀时间对多孔硅成孔的影响

在其他腐蚀条件相同的情况下，腐蚀时间对多孔硅形貌有很大影响。本实验选取的腐蚀液体积配比仍然是V（HF）∶V（C2H5OH）=1∶6，电流密度J为20 mA/cm2，选取的反应时间为10～60 min。图3（a）表示腐蚀时间和多孔硅孔径的关系曲线，腐蚀时间的增加时，多孔硅成孔的孔径也随之增大，开始时孔径增加的速度较快，随着反应的进行，曲线开始趋于平稳，后段基本变化不大。根据量子限制效应理论[5]，反应进行的过程中，孔壁厚度不断减小，会生成硅量子线，随着硅量子线的展宽，在其内部会形成一个附加势垒Ep，这个势垒不利于空穴到达孔壁的反应界面（硅中的空穴能量要大于Ep才可以进入硅量子线），接着孔壁内空穴耗尽，最后硅量子线的溶解趋于停止，孔径也就不再加大，这是一种自限制的过程。图3（b）表示腐蚀时间和多孔硅深度的关系曲线，随着腐蚀时间的增加多孔硅深度也随之增大，但是增大的速度逐渐变慢。这是由于随着反应的进行，多孔硅越来越深，腐蚀反应主要在孔底进行，腐蚀液的渗入渐渐变得困难，再者大量氢气从孔中冒出也会阻止腐蚀液的渗透，这就造成了反应时间越久，深度增加越困难。本实验所用的无水乙醇所占比重较大，就是为了在保证氢氟酸质量分数的基础上增大其浸润性，所以随着腐蚀时间的增加，多孔硅孔深增大的速度缓慢减小且整体减小的幅度很小[6-8]。

3.4 腐蚀条件对多孔硅形貌的影响

根据腐蚀条件的不同，多孔硅的形貌有很大的区别。当电流密度偏小时，虽然可以形成多孔硅，但是形成的多孔硅密度较小。如图4（a）所示是电流密度5 mA/cm2、腐蚀时间为30 min条件下多孔硅样品的SEM（扫描电子显微镜）图像，拍摄角度为0°，可以分为三个灰度区域，黑色区域表示被腐蚀出的成孔，深灰色且泛白边的区域是未成孔的凹孔，浅灰色区域表示平面，成孔的尺寸和孔的分布较为均匀。

在较大的电流密度下，随着时间增加多孔硅可以腐蚀得很深，但是多孔骨架也由此变得十分脆弱，比较容易坍塌。如图4（b）所示是电流密度50 mA/cm2、腐蚀时间为40 min条件下制备的多孔硅的侧面SEM图像，拍摄角度为90°。该实验条件下制备的多孔硅出现了一定的坍塌现象，主要坍塌原因是切割新鲜多孔硅时不可避免的震荡，在反应结束初期，新鲜多孔硅比较规整。因此，对新鲜多孔硅进行一定的后处理（如氧化铝钝化处理）可以保证其机械强度，可以使其存留时间更长久。另外，从该图中可以明显看出，孔壁并不光滑，且有连续的类似竹节的结构，这是由反应过程中生成的氢气泡在溢出时对孔壁形成一定的压力造成的。如果电流密度较大且反应时间较长，则会在多孔硅表面形成双孔连接，甚至多孔连接的情况，这是因为氢气泡对孔壁压力过大，且随着反应时间的增加孔壁变薄，导致孔与孔之间的孔壁断裂，也就形成了多孔连接的情况[9-10]。

为了更加明显地表示多孔硅的表面形貌，图4（c）为经过超声波震荡后的硅片的SEM放大图，拍摄角度为45°，图中断孔的平均孔径为700 nm左右。由于该多孔硅样品纵横比很大且未经过钝化处理，经过超声震荡后，多孔硅层有一定程度的坍塌现象。由实验可得，大孔径（超过800 nm）多孔硅进行超声波震荡清洗（多孔硅放在超声环境的去离子水中进行震荡清洗）时，都会出现多孔层坍塌现象，即从超声清洗开始的瞬间，多孔层会剥离出不溶于水的棕色微粒，数秒后去离子水变成棕色悬浊液，震荡一段时间后（通常为10 min之后），换掉去离子水再次震荡，则不会出现此现象。震荡开始时大孔径多孔硅表面为有光泽的镜面，震荡后多孔硅表面为暗淡的漫反射面。然而，多孔硅孔径小于500 nm时，无论如何进行超声清洗，都不会出现多孔骨架坍塌的现象，清洗前后多孔层宏观上皆为镜面。由所有多孔硅样品的断孔进行孔径测量发现，当断孔处孔径到达一定大小（500～800 nm）时，多孔层不再继续坍塌，此时剩下的多孔层的机械强度足以抵抗一般的机械冲击。该现象具体原因尚不明确，有待进一步的研究。

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4 结 论

实验结果表明，多孔硅的形貌跟电化学腐蚀条件密切相关。电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时，制备的多孔硅越深，孔径越大，腐蚀效率比也越高，在反应初期前三者和后三者之间成正比例关系。当腐蚀时间达到一定值后，孔径几乎不再增加。当电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数数值过大时会导致多孔硅机械强度很弱，多孔层骨架极易断裂，在腐蚀液体积配比为V（HF）∶V（C2H5OH）=1∶6时，且多孔层孔径小于一定值（500～800 nm）时可以保持相当高的机械强度，不会发生多孔层坍塌的现象，且大孔径（大于800 nm）多孔硅出现坍塌时也会在孔径达到一定值（500～800 nm）时停止坍塌。本实验用较为简单的方法制备出了良好的多孔硅样品，并对多孔硅形貌和电化学腐蚀条件的关系做了一定的基础研究，这为今后低成本大规模制备多孔硅提供了参考。

参考文献：

[1] CANHAM L T.Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers[J].Applied Physics Letters，1990，57：1046-1048.

[2] RONG G G，NAJMAIE A，SIPE J E，et al.Nanoscale porous silicon waveguide for label-free DNA sensing[J].Biosensors & Bioelectronics，2008，23（10）：1572-1576.

[3] RONG G G，RYCKMAN J D，MERNAUGH R L，et al.Label-free porous silicon membrane waveguide for DNA sensing[J].Applied Physics Letters，2008，93（16）：161109.

[4] BEALE M I J，BENJAMIN J D，UREN M J，et al.An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon[J].Journal of Cryst Growth，1985，73（3）：622-636.

[5] LEHMANN V，GOSELE U.Porous silicon：quantum sponge structures grown via a self-adjusting etching process[J].Advanced Materials，1992，4（2）：114-116.

[6] ROSSI A M，AMATO G，CAMARCHIA V，et al.High-quality porous-silicon buried waveguides[J].Applied Physics Letters，2001，78（20）：3003-3005.

[7] GRUNING U，YELON A.Capillary and Van-der-Waals forces and mechanical stability of porous silicon[J].Thin Solid Films，1995，255（1/2）：135-138.

[8] KELLY M T，CHUN J K，BOEARSLY A B，et al.High efficiency chemical etchant for the formation of luminescent porous silicon[J].Applied Physics Letters，1994，64（13）：1693-1695.

[9] SCHIRONE L，SOTGIU G，MONTECCHI M.On the morphology of stain-etched porous silicon films[J].Journal of Luminescence，1999，80（1/2/3/4）：163-167.

[10] BHAGAVANNARAYANA G，SHAILESH N S，SHARMA R K，et al.A comparison of the properties of porous silicon formed on polished and textured（100）Si：high resolution XRD and PL studies[J].Materials Chemistry and Physics，2006，97（2/3）：442-447.

（编辑：张 磊）

高一化学必考知识点 第4篇

1、常见酸、碱、盐的溶解性规律：(限于中学常见范围内，不全面)

①酸：只有硅酸(H2SiO3或原硅酸H4SiO4)难溶，其他均可溶;

②碱：只有NaOH、KOH、Ba(OH)2可溶，Ca(OH)2微溶，其它均难溶。

③盐：钠盐、钾盐、铵盐、硝酸盐均可溶;

硫酸盐：仅硫酸钡、硫酸铅难溶、硫酸钙、硫酸银微溶，其它均可溶;

氯化物：仅氯化银难溶，其它均可溶;

碳酸盐、亚硫酸盐、硫化物：仅它们的钾、钠、铵盐可溶。

④磷酸二氢盐几乎都可溶，磷酸氢盐和磷酸的正盐则仅有钾、钠、铵可溶。

⑤碳酸盐的溶解性规律：正盐若易溶，则其碳酸氢盐的溶解度小于正盐(如碳酸氢钠溶解度小于碳酸钠);正盐若难溶，则其碳酸氢盐的溶解度大于正盐(如碳酸氢钙的溶解度大于碳酸钙)。

2、气体的溶解性：

①极易溶于水的气体：HX、NH3

②能溶于水，但溶解度不大的气体：O2(微溶)、CO2(1：1)、Cl2(1：2)、

H2S(1：2.6)、SO2(1：40)

③常见的难溶于水的气体：H2、N2、NO、CO、CH4、C2H4、C2H2

④氯气难溶于饱和NaCl溶液，因此可用排饱和NaCl溶液收集氯气，也可用饱和NaCl溶液吸收氯气中的氯化氢杂质。

3、硫和白磷(P4)不溶于水，微溶于酒精，易溶于二硫化碳。

4、卤素单质(Cl2、Br2、I2)在水中溶解度不大，但易溶于酒精、汽油、苯、四氯化碳等有机溶剂，故常用有机溶剂来萃取水溶液中的卤素单质(注意萃取剂的选用原则：不互溶、不反应，从难溶向易溶;酒精和裂化汽油不可做萃取剂)。

5、有机化合物中多数不易溶于水，而易溶于有机溶剂。在水中的溶解性不大：烃、卤代烃、酯、多糖不溶于水;醇、醛、羧酸、低聚糖可溶于水(乙醇、乙醛、乙酸等和水以任意比例互溶)，但随着分子中烃基的增大，其溶解度减小(憎水基和亲水基的作用);苯酚低温下在水中不易溶解，但随温度高，溶解度增大，高于70℃时与水以任意比例互溶。

高一化学必考知识点 第5篇

1、构成有机物的最不可缺少的元素是碳，硅是构成岩石和矿物的基本元素。

2、SiO2是由Si和O按1:2的比例所组成的立体网状结构的晶体，是光纤的基本原料。

3、凡是立体网状结构的晶体(如金刚石、晶体硅、SiC、SiO2等)都具有熔点高、硬度大的物理性质，且一般溶剂中都不溶解。

4、SiO2和强碱、氢氟酸都能反应。前者解释碱溶液不能盛在玻璃塞试剂瓶中;后者解释雕刻玻璃的原因。

5、硅酸是用水玻璃加盐酸得到的凝胶，离子方程式为SiO32-+2H+=H2SiO3。凝胶加热后的多孔状物质叫硅胶，能做干燥剂和催化剂载体。

6、正长石KAlSi3O8写成氧化物的形式为K2O•Al2O3•6SiO2

高一化学知识点总结 第6篇

①按照原子序数递增的顺序从左到右排列;

②将电子层数相同的元素排成一个横行——周期;

③把最外层电子数相同的元素按电子层数递增的顺序从上到下排成纵行——族

2、如何精确表示元素在周期表中的位置：

周期序数=电子层数;主族序数=最外层电子数

口诀：三短三长一不全;七主七副零八族

熟记：三个短周期，第一和第七主族和零族的元素符号和名称

3、元素金属性和非金属性判断依据：

①元素金属性强弱的判断依据：

单质跟水或酸起反应置换出氢的难易;

元素价氧化物的水化物——氢氧化物的碱性强弱;置换反应。

②元素非金属性强弱的判断依据：

单质与氢气生成气态氢化物的难易及气态氢化物的稳定性;

价氧化物对应的水化物的酸性强弱;置换反应。

4、核素：具有一定数目的质子和一定数目的中子的一种原子。

①质量数==质子数+中子数：A==Z+N

高中高一化学知识点 第7篇

2. 用一条短线表示一个共用电子对的图示叫结构式，它能表示分子内各原子的成键情况。

3.，分子结构是正四面体的立体结构，碳原子位于正四面体的中心，四个氢原子分别位于正四面体的四个顶点上，分子中四个氢原子完全等效。4个C-H键长度和强度相同，夹角也完全相等。均为109°28’

高中化学甲烷知识点：甲烷的取代反应

① 取代反应是指有机物分子里的某些原子或原子团被其他原子或原子团所替代的反应。(“取而代之”特点“有机物断价键，留一半，换一半”)

② a.光是反应发生的主要原因。

b .黄绿色逐渐褪去，瓶壁出现油状液滴，说明产生了

不溶于水的物质。

c . 瓶口有白雾，使试纸变红，推断有氯化氢生成。

[结论]甲烷与氯气在光照条件以反应。

实验：由于没有尾气处理装置，可能会有少量氯气逸出，教师要事先准备稀NaOH溶液或浸满NaOH溶液的棉团，实验结束时放在瓶口，有效处理尾气，树立安全和环保意识。

(注：

a.甲烷与氯气反应的条件是光照，在室温、暗处不发生反应，但也不能用强光直接照射，否则会引起爆炸。

b .该反应是一种连锁发应，不会停留在某一步，也不只是发生反应1个，其他反应仍在进行，所以5种产物。

c . 甲烷与溴蒸气、碘蒸气的纯卤素单质也能发生以上类似的反应，但不能与溴水、碘水等发生反应。

d.1molH被取代需要1molCl2，不要误以为1个Cl2分子能取代2个H原子.CH4、CH3Cl、CH2Cl2、CHCl3、CCl4均为四面结构体，但是只有CH4为正四面体)

高中化学甲烷知识点：甲烷的氧化反应

①甲烷的氧化反应指的是它在点燃条件下可以燃烧，不能被酸性高锰酸钾等强氧化剂氧化。甲烷燃烧产生明亮的淡蓝色火焰，放出大量热量，是一种理想的清洁能源。通常状况下， 1mol甲烷在空气中完全燃烧，生成二氧化碳和水，放出890kJ热量。

②甲烷燃烧产物的检验方法：在火焰上方找一个干燥的小烧杯内壁有水珠生成，将小烧杯迅速倒转过来，向其中加入少量澄清石灰水，石灰水变浑浊。

高一化学金属知识点 第8篇

铝对光的反射性能良好，反射紫外线比银还强，铝越纯，它的反射能力越好，常用真空镀铝膜的方法来制得高质量的反射镜。真空镀铝膜和多晶硅薄膜结合，就成为便宜轻巧的太阳能电池材料。铝粉能保持银白色的光泽，常用来制作涂料，俗称银粉。

纯铝的导电性很好，仅次于银、铜，在电力工业上它可以代替部分铜作导线和电缆。铝是热的良导体，在工业上可用铝制造各种热交换器、散热材料和民用炊具等。

最全高一化学知识点 第9篇

1、氧化还原反应的本质是有电子的转移，氧化还原反应的特征是有化合价的升降。

2、失去电子(偏离电子)→化合价升高→被氧化→是还原剂;升价后生成氧化产物。还原剂具有还原性。

得到电子(偏向电子)→化合价降低→被还原→是氧化剂;降价后生成还原产物，氧化剂具有氧化性。

3、常见氧化剂有：Cl2、O2、浓H2SO4、HNO3、KMnO4(H+)、H2O2、ClO-、FeCl3等，

常见还原剂有：Al、Zn、Fe;C、H2、CO、SO2、H2S;SO32-、S2-、I-、Fe2+等

4、氧化还原强弱判断法

①知反应方向就知道“一组强弱”

②金属或非金属单质越活泼对应的离子越不活泼(即金属离子氧化性越弱、非金属离子还原性越弱)

高一化学知识点精选 第10篇

1、Na2O2是淡黄色固体，与水反应放出使带火星的木条复燃的气体，离子方程式是2Na2O2+2H2O=4Na++4OH-+2H2↑。反应后溶液中滴入酚酞的现象是先变红后褪色。

2、Na2CO3、NaHCO3的鉴别除了观察是否细小，加水是否结块的物理方法外，还可以

①加热固体质量减轻或放出气体能使澄清的石灰水变浑浊的是NaHCO3。

②在其溶液中滴入CaCl2或BaCl2溶液由白色沉淀的是Na2CO3。

③加等浓度的HCl放出气体快的是NaHCO3。

3、焰色反应是物理性质，钠元素为黄色，钾元素为紫色(透过蓝色的钴玻璃观察的原因是滤去黄色焰色);钠单质或其化合物焰色均为黄色。

4、焰色反应的操作为，先用盐酸洗净铂丝或无锈的铁丝，然后在火焰外焰上灼烧至与原来的火焰焰色相同为止，再蘸取溶液灼烧并观察焰色。

5、由可溶性可溶性铝盐制Al(OH)3沉淀选用试剂是氨水，离子方程式为：Al3++3NH3▪H2O=Al(OH)3↓+3NH4+。

6、铝片放入NaOH溶液开始无现象是因为表面氧化铝先与氢氧化钠溶液反应、然后有气体逸出且逐渐加快是因为铝与碱溶液反应使溶液温度升高，加快了反应速度，最后生成气体的速度又慢下来(仍有铝片)原因是OH-浓度逐渐减小，速度变慢。

2mol Al完全反应放出标况下气体是67.2 L。

7、明矾和FeCl3都可净水，原理是:溶于水后生成的胶体微粒能吸附水中悬浮的杂质一起沉淀。

8、Al3+溶液中渐渐加入NaOH溶液或AlO2-溶液中渐渐加入HCl溶液的现象都是：白色沉淀渐多又渐少至澄清;NaOH溶液渐渐加入Al3+溶液或H+溶液渐渐加入NaAlO2溶液的现象都是：开始无沉淀，后来沉淀迅速增加至定值。

9、铁的三种氧化物化学式分别是FeO、Fe2O3、Fe3O4。其中磁性氧化铁和盐酸反应的离子方程式为Fe3O4+8H+=Fe2++2Fe3++4H2O。

高一化学知识点精选 第11篇

1、常见分子(或物质)的形状及键角

(1)形状：

V型：H2O、H2S

直线型：CO2、CS2、C2H2

平面三角型：BF3、SO3

三角锥型：NH3

正四面体型：CH4、CCl4、白磷、NH4+

平面结构：C2H4、C6H6

(2)键角：

H2O：104.5°;

BF3、C2H4、C6H6、石墨：120°

白磷：60°

NH3：107°18′

CH4、CCl4、NH4+、金刚石：109°28′

CO2、CS2、C2H2：180°

2、常见粒子的饱和结构：

①具有氦结构的粒子(2)：H-、He、Li+、Be2+;

②具有氖结构的粒子(2、8)：N3-、O2-、F-、Ne、Na+、Mg2+、Al3+;

③具有氩结构的粒子(2、8、8)：S2-、Cl-、Ar、K+、Ca2+;

④核外电子总数为10的粒子：

阳离子：Na+、Mg2+、Al3+、NH4+、H3O+;

阴离子：N3-、O2-、F-、OH-、NH2-;

分子：Ne、HF、H2O、NH3、CH4

⑤核外电子总数为18的粒子：

阳离子：K+、Ca2+;

阴离子：P3-、S2-、HS-、Cl-;

分子：Ar、HCl、H2S、PH3、SiH4、F2、H2O2、C2H6、CH3OH、N2H4。

3、常见物质的构型：

AB2型的化合物(化合价一般为+2、-1或+4、-2)：CO2、NO2、SO2、SiO2、CS2、ClO2、CaC2、MgX2、CaX2、BeCl2、BaX2、KO2等

A2B2型的化合物：H2O2、Na2O2、C2H2等

A2B型的化合物：H2O、H2S、Na2O、Na2S、Li2O等

AB型的化合物：CO、NO、HX、NaX、MgO、CaO、MgS、CaS、SiC等

高一化学知识点精选 第12篇

电解质溶液中的守恒关系：

电荷守恒：电解质溶液中所有阳离子所带有的正电荷数与所有的阴离子所带的负电荷数相等。如NaHCO3溶液中：n(Na+)+n(H+)=n(HCO3-)+2n(CO32-)+n(OH-)推出：[Na+]+[H+]=[HCO3-]+2[CO32-]+[OH-]

物料守恒：电解质溶液中由于电离或水解因素，离子会发生变化变成其它离子或分子等，但离子或分子中某种特定元素的原子的总数是不会改变的。如NaHCO3溶液中：n(Na+)：n(c)=1:1，推出：C(Na+)=c(HCO3-)+c(CO32-)+c(H2CO3)

高一化学知识点总结 第13篇

从宏观的角度看,物质由元素组成;从微观的角度看,原子，分子，离子等是构成物质的基本粒子，物质组成的判断依据有:

(1)根据有无固定的组成或有无固定的熔沸点可判断该物质是纯净物还是混合物，其中:油脂，高分子化合物，玻璃态物质及含有同种元素的不同同素异形体的物质均属于混合物。

(2)对于化合物可根据晶体类型判断:离子晶体是由阴阳离子构成的;分子晶体是由分子构成的;原子晶体是由原子构成的。

(3)对于单质也可根据晶体类型判断:金属单质是由金属阳离子和自由电子构成的;原子晶体，分子晶体分别由原子，分子构成。

2.物质的分类

(1)分类是研究物质化学性质的基本方法之一,物质分类的依据有多种,同一种物质可能分别属于不同的物质类别。

(2)物质的分类依据不同,可以有多种分类方法,特别是氧化物的分类是物质分类的难点,要掌握此类知识,关键是明确其分类方法。

氧化物的分类比较复杂,判断氧化物所属类别时,应注意以下几个问题:

①酸性氧化物不一定是非金属氧化物,如CrO3是酸性氧化物;非金属氧化物不一定是酸性氧化物,如CO，NO和NO2等。

②碱性氧化物一定是金属氧化物,但金属氧化物不一定是碱性氧化物,如Na2O2为过氧化物(又称为盐型氧化物),Pb3O4和Fe3O4为混合型氧化物(一种复杂氧化物),Al2O3和ZnO为两性氧化物,Mn2O7为酸性氧化物。